半導体製造プロセスにおけるレジスト膜およびドライエッチングプロセスによる副生成物であるポリマーの除去・洗浄にはアミン系洗浄液やIPAなどが使用され、多大なランニングコストを要するとともに、これらの薬液が有する発ガン性や強アルカリ性などから、作業環境の改善が急務とされている。本技術開発では、こうした技術的、時代的背景において、水蒸気と希薄水溶液の二流体噴流という独創的技術により、半導体プロセスの低コスト化とともに、環境に優しい、新しいプロセス技術の実現を目指すものである。
　本技術では、高温を有する超クリーン水蒸気に、特定の希薄水溶液滴を混合させた二流体を、ウェハに音速で噴射することにより発生する衝撃力、次いで発生するキャビテーションによる衝撃波などの物理的効果、さらに水蒸気がウェハ上に衝突し凝縮する水粒が持つ運動エネルギーとレジスト膜への浸透による剥離効果、そして前述の温度環境と希薄水溶液が有する化学的洗浄効果などの相乗により、ウェハ上のレジスト膜とともに、パターン内部に残留する副生成物であるポリマーの、極めて効果的な除去・洗浄を実現するものである。
　本技術の具現化により、半導体製造プロセス数の低減、低コスト化、そして環境に優しい新プロセスの提供ができ、多大なる経済的、社会的効果をもたらすものと期待される。